西安電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)是微電子學(xué)院下設(shè)的在職研究生專業(yè)，微電子學(xué)院有“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”為國家重點學(xué)科、批準(zhǔn)的首批碩士點、博士點。建有微電子學(xué)、集成電路設(shè)計與集成系統(tǒng)兩個國家特色專業(yè)。建有寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國家重點學(xué)科實驗室、寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點實驗室。西安電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)主要研究方向如下：

　　寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究：

　　寬禁帶半導(dǎo)體是繼硅和砷化鎵材料以后的第三代半導(dǎo)體材料，具有高工作溫度、高速、高功率、高抗輻照以及直接帶隙和覆蓋可見光波段等特點，優(yōu)勢十分明顯。本學(xué)科在目前最具發(fā)展前景的氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究方面取得重要進(jìn)展。

　　在GaN基半導(dǎo)體材料與器件研究方面，突破了制造AlGaN/GaN HEMT微波功率器件所需的MOCVD設(shè)備制造、異質(zhì)結(jié)材料生長、微波功率器件和高亮度光電器件制造等一系列核心技術(shù)，系統(tǒng)地解決了從設(shè)備、材料到器件的關(guān)鍵技術(shù)問題，研制出了高性能的MOCVD設(shè)備、AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料、AlGaN/GaN HEMT微波功率器件和高亮度藍(lán)光與紫外光器件，為我國半導(dǎo)體照明工程和國防大功率微波器件與電路的發(fā)展奠定了堅實的理論與技術(shù)基礎(chǔ)。該方向在高亮度光電器件和材料的研究成果獲得2005年陜西省科學(xué)技術(shù)一等獎。

　　在SiC基半導(dǎo)體材料與器件研究方面，突破了高質(zhì)量SiC外延材料制備技術(shù)，尤其是實現(xiàn)了Si襯底上SiC的厚外延技術(shù)，系統(tǒng)解決了高失配材料的應(yīng)力釋放和低缺陷密度材料生長。繼而，突破了高溫半導(dǎo)體器件和集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)，創(chuàng)新地研制出了SiC高溫半導(dǎo)體器件和集成電路，為進(jìn)一步開發(fā)和研制滿足下一代電子裝備的高性能SiC高溫半導(dǎo)體器件與集成電路提供了理論與技術(shù)支撐�！疤蓟�硅油井高溫壓力傳感器”成果獲2002年陜西省科學(xué)技術(shù)三等獎。

　　本學(xué)科在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件方面已與美國、日本、俄羅斯和德國等建立了密切的學(xué)術(shù)研究合作關(guān)系，已在國內(nèi)外重要刊物上發(fā)表論文194篇，其中被三大檢索收錄的論文166篇。

　　微電路可靠性技術(shù)研究：

　　目前國際上CMOS集成電路制造技術(shù)已經(jīng)從超深亞微米階段迅速進(jìn)入到納米階段，隨之而產(chǎn)生的納米器件量子化效應(yīng)等新的機(jī)理對工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展產(chǎn)生了重大的影響，因此從可靠性角度對微納米CMOS器件的工作機(jī)理進(jìn)行深入的理論分析，是評估和指導(dǎo)當(dāng)前國際集成電路制造技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵性工作�；�于在微電子可靠性領(lǐng)域20余年的研究成果，本學(xué)科廣泛深入地開展了超深亞微米CMOS器件的可靠性機(jī)理研究及新結(jié)構(gòu)器件的研制工作，在理論和實踐上取得了重要進(jìn)展。

　　通過對從0.18微米到65納米工藝CMOS器件的深入研究，在失效機(jī)理分析、器件模型改進(jìn)等方面取得了重要的成果，創(chuàng)造性地提出了超深亞微米復(fù)合失效模式理論，全面深入地涉及到了熱載流子效應(yīng)、柵介質(zhì)擊穿效應(yīng)、等離子損傷、銅互連失效等因素，并以此為基礎(chǔ)建立了實用的、適合于從超深亞微米到納米階段器件的SoC可靠性協(xié)同仿真和設(shè)計系統(tǒng)。根據(jù)該理論模型，創(chuàng)新性地優(yōu)化設(shè)計和制造了100納米體硅型和SOI型槽柵結(jié)構(gòu)器件，獲得了優(yōu)良的器件特性，這對我國軍用及民用高可靠集成電路的設(shè)計與制造發(fā)揮了重要作用。

　　相關(guān)研究成果已經(jīng)在國內(nèi)外重要刊物上發(fā)表論文180余篇，其中被三大檢索收錄的論文153篇。2001年獲得國防科技進(jìn)步二等獎1項，2002年獲得陜西省科技進(jìn)步三等獎1項，“十五”期間獲得國家發(fā)明專利3項。

　　超大規(guī)模集成電路技術(shù)：

　　針對超大規(guī)模集成電路發(fā)展的需求，系統(tǒng)研究了基于電子回旋共振的高密度等離子體微細(xì)加工技術(shù)。研究了自主知識產(chǎn)權(quán)的新型高密度微波ECR等離子體源，研制成功國內(nèi)第一臺電子回旋共振化學(xué)氣相淀積(ECRCVD)設(shè)備和電子回旋共振反應(yīng)離子刻蝕(ECRRIE)設(shè)備，主要指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平，成功應(yīng)用于“9711”國防重點工程。

　　針對混合信號SoC設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)問題，提出了混合信號集成電路的高層次模型和嵌入式模擬IP核的概念，建立了高速混合信號集成電路IP核設(shè)計方法以及SoC異步互連網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計與驗證方法，成功用于超低壓、超低功耗CMOS模擬器件的設(shè)計。

　　在國內(nèi)外刊物上發(fā)表論文110篇，其中被三大檢索收錄的論文97篇。“ECR刻蝕與SiC半導(dǎo)體器件技術(shù)”、“微波ECRCVD設(shè)備”分別獲得2002和2005年陜西省科學(xué)技術(shù)二等獎。

　　高速半導(dǎo)體材料與器件：

　　硅(Si)基應(yīng)變材料與器件是目前研究發(fā)展的重點，是集成電路延續(xù)摩爾定律繼續(xù)向高速/高性能發(fā)展的重要技術(shù)基礎(chǔ)。本學(xué)科在應(yīng)變Si、應(yīng)變SiGe材料生長動力學(xué)和器件數(shù)理模型深入研究基礎(chǔ)上，對Si基應(yīng)變材料、高速器件結(jié)構(gòu)及設(shè)計的相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)取得突破性進(jìn)展，研制出了既可以采用光能輔助，又可以采用熱分解外延生長Si基應(yīng)變材料的UHV/CVD系統(tǒng)，創(chuàng)新性地提出了Si基應(yīng)變材料摻雜濃度的表征方法;基于器件能帶結(jié)構(gòu)，創(chuàng)新性地提出了能夠有效抑制寄生效應(yīng)的平面型Si基應(yīng)變高速HBT器件結(jié)構(gòu)模型，并研制出了S波段脈沖功率HBT;創(chuàng)新性地提出了垂直層疊、共柵的高速Si基量子阱應(yīng)變CMOS器件結(jié)構(gòu)模型，該模型被同行專家稱為具有原創(chuàng)性。

　　該方向在“十五”期間獲得國家發(fā)明專利2項。相關(guān)研究成果已經(jīng)在國內(nèi)外重要刊物上發(fā)表論文60余篇，其中被三大檢索收錄的論文43篇。

　　新型固體激光器技術(shù)：

　　固體激光器是我國光纖通信系統(tǒng)和激光成像雷達(dá)系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件，但長期以來嚴(yán)重依賴進(jìn)口。本學(xué)科在“211工程”和國防預(yù)研項目的支持下，成功地研制出可用于激光成像雷達(dá)的高重頻二極管泵浦固體激光器。該成果具有小型、緊湊及全固態(tài)等特性，可以應(yīng)用于機(jī)載、彈載激光成像雷達(dá)等激光主動探測系統(tǒng)，用作激光成像雷達(dá)的光源，作用距離能夠達(dá)到5～8公里，填補(bǔ)了該應(yīng)用領(lǐng)域國內(nèi)自主研制高重頻二極管泵浦固體激光器的空白，主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

　　“調(diào)Q連續(xù)激光二極管泵浦固體激光器”成果獲2001年國防科技技術(shù)二等獎。已經(jīng)在國內(nèi)外重要刊物上發(fā)表論文80余篇，其中被三大檢索收錄的論文50余篇。